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Diodo de derivación solar XND19-V30P


Un paquete de tamaño pequeño se puede integrar dentro de módulos fotovoltaicos

Bajo consumo de energía, baja pérdida, alta eficiencia

Voltaje directo promedio muy bajo

Alta capacidad anti-sobretensión

Alta capacidad de protección ESD

Dispositivo especial de bypass solar

Pasó la prueba de calificación de vida de 25 años.

Producto sin plomo



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Tabla de Especificaciones

Asunto Valores
Esquema del paquete BW88
Soldadura de terminales de plomo T=260℃±5℃,10S±1S


Tabla de parámetros de rendimiento eléctrico

Asunto Valores
Tensión inversa máxima 30V
corriente directa máxima 40A
Corriente directa de sobretensión (50 Hz semisinusoide/8.3 ms) 500A
ESD (HBM) 30KV
Voltaje directo máximo promedio (si = 30 A, Tj = 25 ℃) ≤ 110 mV
Voltaje directo máximo promedio (si = 40 A, Tj = 25 ℃) ≤ 135 mV
Voltaje directo máximo promedio (si = 30 A, Tj = 125 ℃) ≤ 140 mV
Voltaje directo máximo promedio (si = 40 A, Tj = 125 ℃) ≤ 160 mV
Corriente máxima de fuga inversa (Vr=30V) ≤100 μA
Resistencia termica 2 ℃/W
Rango de temperatura de unión de funcionamiento -55 ~ 150 ℃
Temperatura de almacenamiento -55 ~ 150 ℃


Consulta
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