semua Kategori

Beranda >  Produk >  XND19-V30P

Dioda bypass surya XND19-V30P Indonesia


Paket ukuran kecil dapat tertanam di dalam modul fotovoltaik

Konsumsi daya rendah, kehilangan rendah, efisiensi tinggi

Tegangan maju rata-rata sangat rendah

Kemampuan Anti-lonjakan yang tinggi

Kemampuan perlindungan ESD yang tinggi

Perangkat bypass surya khusus

Lulus tes kualifikasi hidup selama 25 tahun

Produk bebas timah



  • Tabel Spesifikasi
  • Tabel Parameter Kinerja Listrik
  • Lebih banyak Produk
  • Enquiry

Tabel Spesifikasi

BarangNilai - Nilai
Garis Besar PaketBW88
Pengelasan terminal timahT=260℃±5℃,10S±1S


Tabel Parameter Kinerja Listrik

BarangNilai - Nilai
Tegangan balik maksimum30V
arus maju maksimum40A
Arus maju lonjakan (50Hz setengah sinusoidal/8.3 ms)500A
ESD(HBM)30KV
Tegangan maju rata-rata maks (Jika=30A, Tj=25℃)110mV
Tegangan maju rata-rata maks (Jika=40A, Tj=25℃)135mV
Tegangan maju rata-rata maks (Jika=30A, Tj=125℃)140mV
Tegangan maju rata-rata maks (Jika=40A, Tj=125℃)160mV
Arus kebocoran balik maksimum (Vr=30V)100μA
Tahan panas2℃/W
Kisaran suhu persimpangan operasi-55 ~ 150 ℃
suhu penyimpanan-55 ~ 150 ℃


Enquiry
BERHUBUNGAN